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IGBT模块铝碳化硅底板
• 原材料: AISiC
• 成型工艺:铸造成型+CNC加工
• 尺寸范围: <224mm
• 厚度范围: 0.5-8mm
• 性能参数:热导率>200(W/mK) 25℃，线膨胀系数7(CTEppm/℃)，密度3.0(g/cm3)
• 标准尺寸:187*137*5mm;137*127*5mm
• 拱度设计:单面拱度，拱度精度±30um
• 镀层处理:化学镍+电镀镍
• 焊后空洞率:单元焊接区域<1%:整体基板焊接区域<3%
• 盐雾时间: 48hrs
• 高温考核:285+10℃ 20min
• 适配模块:部分电压1700VIGBT模块及3300V以上高压模块
• 适用领域:中压变流器、大功率变流器、牵引变流器、电机传动、风力发电机等

• 材料优势:热膨胀系数与芯片材料及陶瓷覆铜板匹配，可提高IGBT模块抗热疲劳能力和使用寿命

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IGBT模块铜底板
• 原材料:C1100 (T2)纯铜；硬度80-110HV
• 成型工艺:冲压/冲压+CNC/冷锻
• 尺寸范围: <224mm
• 厚度范围: 1-13mm
• 拱度设计:双面拱度: X轴和Y轴预弯曲，曲面精度±30um
• 镀层处理: 电镀/化镀/氨基磺酸镍；镀层厚度: 2-8um
• 焊后空洞率:单元焊接区域<1%；整体基板焊接区域<3%
• 盐雾时间: 24hrs
• 高温考核: 260℃30min
• 适配模块:600V以下低压IGBT模块及600-1200V中压IGBT模块
• 适用领域:消费电子、新能源车、光伏、家电、工业 (电焊机、UPS) 等领域

• 材料特性:热导率高、价格便宜、可大批量生产


思萃热控-无氧铜材料化学成分

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铝碳化硅均热片
• 原材料: AISiC
• 成型工艺:模具铸造成型/CNC
• 尺寸精度:±0.05mm
• 平面度:<0.05
• 粗糙度:外观面Ra1.6；粘接面Ra2.0以上
• 最小设计厚度: 0.3mm
• 性能参数:热导率>200(W/mK)25℃，线膨胀系数7(CTEppm/℃)，密度3.0(g/cm3)
• 镀层处理:化学镀暗镍，厚度10-25μm
• 盐雾时间:48hrs
• 高温考核:270℃30min
• 应用封装: FPGA/CBGA/CCGA类陶瓷基板封装用散热盖、热沉
• 适用领域:航空航天，军工国防，通信基站等领域
• 材料特性:轻质材料，可降低BGA中每个焊球承受的重量；抗弯强度高，在组装过程中可以有效控制翘曲以改善焊接；线膨胀系数与陶瓷基板材料及芯片材料相匹配，有效保证了封装后散热通道，提高了器件的可靠性
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无氧铜均热片
• 原材料: T2/C1100
• 结构: Hat (dimple)；Forged；Stiffener Ring
• 成型工艺:冲压/CNC
• 平面度: <0.05
• 粗糙度:外观面Ra0.2-0.6；粘接面Ra2.0以上
• 性能参数: 热导率401(W/mK)25℃，线膨胀系数17.7(CTEppm/℃)，密度9.0(g/cm3)
• 镀层处理: 化学镀镍/电镀镍、镀层厚度2-10μm
• 盐雾时间: 48hrs
• 高温考核:270℃30min
• 应用封装:用于个人计算机的和服务器的CPU封装，汽车设备的SOC/FPGA封装，通信设备的处理器封装，游戏系统处理器和图像处理器以及人工智能处理器等封装
• 材料特性:热导率高、价格便宜、成型容易，可做多种结构设计，可大批量生产
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IGBT液冷组件

独特的双面水冷技术，取消了绑定线设计，将功率模块放置于两块铜散热基板中间，通过中间冷却水循环实现散热，可以有效提高功率密度和导热效率，控制结温。减少体积和重量，缩减制造成本。


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IGBT模组液冷散热板

IGBT模块需要承受几百安的电流，每秒开关达到上千次，功耗耗较大。且其与电机、引擎等位于空间密闭的汽车前车仓内，热量较为集中如果温度长时间超过其结温，会导致模块烧毁影响整车的运行。大功率IGBT模块的散热大多采用液冷的散热设计。

液冷装置已成为车规级IGBT伴生产品，市场需求增速和电动汽车增速保持一致。因车规级产品的高可靠性要求，对液冷的微流道设计，离子溢出控制，以及焊接带来的变形量控制，目前思萃已掌握核心工艺和制程。


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铝碳化硅-精密结构件
• 原材料: AISiC(SiC含量15-65%可调)
• 成型工艺:铸造/CNC/热挤压+CNC
• 力学性能:抗拉强度>500Mpa；屈服强度>350Gpa
• 适用温度区间:-150℃-550℃
• 尺寸精度:±0.003mm
• 表面处理: 镀镍/金/阳极氧化
• 高温考核:450℃15min
• 适用领域:铝碳化硅应用于抗热形变结构件、耐磨结构件、轻量化航空、航天结构件、精密仪器和装备等领域

• 材料特性:热导率高、线膨胀系数可调，尺寸稳定性好，强度高，密度小，抗震性好，替代航空铝及钛合金；耐磨性高

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铝碳化硅管壳
• 原材料: AISiC (SiC含量15-70%可调)
• 成型工艺: CNC/模具铸造+CNC
• 材料特性: 热导率>200(W/mK)25℃，线膨胀系数7(CTEppm/℃)，密度3.0 g/cm3
• 气密性: 10^9atm-m3/s
• 执行标准:GJB2440A-2006
• 尺寸精度: ±0.05mm
• 最小设计厚度:0.5mm
• 焊接方式:引线:金锡焊接；盖板:金锡焊/平行封焊
• 镀层处理: 化学镍/化学镍金，镀层厚度镍5.0-11.0μm，金≥1.3μm
• 盐雾时间: 48hrs
• 高温考核:450℃15min
• 适用领域:功率电子、电力电子、功率微波、光电转换、通信基站信号放大器、混合电路等领域
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铝硅-管壳
• 原材料: AISi(Si含量27-70%可调)
• 成型工艺:CNC
• 气密性:10^9atm-m3/s
• 执行标准:GJB2440A-2006
• 尺寸精度:±0.05mm
• 焊接方式:管壳需配封口环；引线:金锡焊接；盖板:金锡焊
• 镀层处理: 化学镍/化学镍金，镀层厚度镍1.3-11.3μm，金≥1.3μm
• 盐雾时间: 48hrs
• 高温考核:450℃15min
• 适用领域:功率电子、电力电子、功率微波、光电转换、通信基站信号放大器、混合电路等领域

• 材料特性:热导率高、价格相对便宜、线膨胀系数可调，密度小


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金刚石铝产品
• 原材料:金刚石颗粒/铝合金
• 结构:平板带结构类
• 厚度范围: 0.5-8mm
• 尺寸范围:<350mm
• 成型工艺:真空热压/双面研磨/激光切割
• 平面度:<0.05
• 粗糙度: Ra0.4
• 材料特性: 热导率>400(W/mK) 25℃，热膨胀系数6-9(CTEppm/℃)，密度3.0 g/cm3
• 镀层处理: 化学镀镍/电镀镍、镀层厚度10-20μm/镍金
• 盐雾时间: 48hrs
• 高温考核:450℃10min
• 应用封装:激光二极管产品封装，功率转换器模块封装，倒装芯片封装，固态激光器封装

• 材料优势:成分可调，可根据客户需要调整金刚石含量；可镀性好,表面镀镍、银、金；热膨胀系数与SkCaAs和GaN等良好匹配


金刚石铝性能参数表

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金刚石铜产品
• 原材料:金刚石颗粒/铜合金
• 结构:平板带结构类
• 厚度范围:0.5-8mm
• 尺寸范围:<350mm
• 成型工艺:真空热压/双面研磨/激光切割
• 平面度:<0.05
• 粗糙度: Ra0.4
• 材料特性:热导率>450(W/mk) 25℃，热膨胀系数5-8(CTEppm/℃)，密度6.0 g/cm3
• 镀层处理: 化学镀镍/电镀镍、镀层厚度10-20μm/镍金；
• 盐雾时间: 48hrs
• 高温考核:450℃10min
• 应用封装:光通信领域产品封装，COS系列器件封装，T/R组件封装
• 材料优势:成分可调，可根据客户需要调整金刚石含量；可镀性好,表面镀镍、银、金；热膨胀系数与Si、GaAs和GaN等良好匹配


金刚石铝性能参数表

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